在线工具 · 05
滤波器设计计算
RC 低通 / 高通 · RLC 带通 / 二阶低通 · 伯德图与频响表
输入 R、C、L 参数,即时得到截止频率、传递函数、幅频/相频特性曲线与频响表。
适合传感器前端抗混叠、信号调理电路的选型计算。
传递函数
H(s)=1+sRC1,fc=2πRC1 H(s)=1+sRCsRC,fc=2πRC1 H(s)=s2+sR/L+1/LCsR/L,f0=2πLC1 H(s)=s2+sR/L+1/LC1/LC,ζ=2RLC H(s)=s2R1R2C1C2+sC2(R1+R2)+11 f0=2πR1R2C1C21,Q=C2(R1+R2)R1R2C1C2,C2C1≥4Q2 H(s)=s2R1R2C1C2+sR1(C1+C2)+1s2R1R2C1C2 f0=2πR1R2C1C21,Q=R1(C1+C2)R1R2C1C2,无电容比约束
设计结果
单位增益 Sallen-Key · 电阻已按所选 E 系列取整
电容直接使用你输入的值;把 E 系列电阻代回上面的「分析」模式即可查看取整后的实际曲线。
伯德图(对数频率轴,横向每格一个十倍频程)
频响表
公式与说明
RC 低通(输出取电容电压)
H(s)=1+sRC1,fc=2πRC1,τ=RC
通带内幅度平坦,f>fc 后以 −20 dB/十倍频衰减,
相位从 0° 移到 −90°(fc 处 −45°)。
RC 高通(输出取电阻电压)
H(s)=1+sRCsRC,fc=2πRC1 RLC 带通(串联谐振,输出取电阻电压)
H(s)=s2+sR/L+1/LCsR/L,f0=2πLC1,Q=R1CL
谐振时输出与输入同幅(∣H(f0)∣=1),
带宽 BW=f0/Q。Q 越高通带越窄、选择性越强。
RLC 二阶低通(串联 RLC,输出取电容电压)
H(s)=s2+sR/L+1/LC1/LC,ζ=2RLC
阻尼比 ζ<0.707 时幅频曲线出现谐振峰;
高频段以 −40 dB/十倍频衰减。−3 dB 截止频率本页用数值二分法求解
∣H(f)∣2=1/2,各模型统一处理。
Sallen-Key 低通(单位增益,二阶有源)
H(s)=s2R1R2C1C2+sC2(R1+R2)+11 f0=2πR1R2C1C21,Q=C2(R1+R2)R1R2C1C2
有源滤波器用运放反馈替代电感,低频场景比 RLC 更实用。设计约束:
C1/C2≥4Q2
(取等号即等值电阻 R1=R2 的 Butterworth 设计,
Q=0.707 时 C1=2C2)。
二阶系统的阶跃超调为 exp(−πζ/1−ζ2)
(ζ=1/2Q<1 时),Q 越高超调越大——
Butterworth 的 4.3 % 是常见的折中点。
Sallen-Key 高通(单位增益)
H(s)=s2R1R2C1C2+sR1(C1+C2)+1s2R1R2C1C2
R 与 C 位置互换、传递函数对偶,Q 的分母换成
R1(C1+C2);
没有电容比约束,任意 Q 都可直接设计。
设计流程:给定 f₀、Q 与两只电容,解出 R₁、R₂ 并取整到 E 系列——
取整后的实际 f₀ / Q 偏差会在结果中回算展示,建议再代回「分析」模式复核曲线。
使用须知
- 理想元件假设:未计入电感内阻、电容 ESR 与寄生参数;实际电感在低频电路中误差较大,几十 kHz 以下的一阶滤波优先选 RC。
- 负载效应:后级输入阻抗会改变实际截止频率,级联时需隔算或加缓冲。
- 元件取值:电阻建议 100 Ω – 1 MΩ、陶瓷/薄膜电容按 E12 系列取值后回代入本页复核。
- Sallen-Key 的运放:按单位增益(电压跟随器)分析;运放 GBW 应至少比 f₀ 高两个数量级,否则 Q 会被有源器件拖低。